hanf hat geschrieben:Es staht ja sogar bi Wikipedia dasses en "nicht flüchtiger" speicher isch. d.h. kei batterie solndern solid state flash. offesichtlich isch aber öppis kabutt --> furtrüere...
Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.
Batterie isch viel s falsche wort aber erfüllt dr glich zweck
dr speicherbaustei isch dr mittleri chip.
dass es en nid flüchtige baustei isch isch sicher richtig aber das dr speicher unendlich hebe tuet stimmt ebe au nid.
aber wenn i dass richtig verstande ha het dr chip e "begrenzti" azahl an schrieb/lese cycle (~ca.10'000'000'000).
wenns wiki glese hesch, hesch sicher gseh das dr speicher sicher 10 johr hebt und nochher mol luege...
und über 10 johr hets monster world iv jo locker uffem buckel
was au ka si das modul mol grosse temparatur igsetzt gsi isch oder dr speicher deporalisiert het.
Lebensdauer und Ausfallursachen
Auch FRAMs werden nach einer gewissen Zeit der Benutzung unbrauchbar. Hohe Temperaturen beschleunigen dabei den Verfall. Es gibt zwei mögliche Ursachen für Fehler: Depolarisierung und Imprint. Bei der Depolarisierung senkt sich mit der Zeit das Polarisierungslevel der Zelle. Dadurch wird nach einer gewissen Zeit der aktuelle Zustand nicht mehr korrekt erkannt. Dieser Effekt verstärkt sich bei hohen Temperaturen. Zusätzlich dürfen die Zellen nicht oberhalb der Curie-Temperatur der Keramik betrieben werden, da ansonsten die ferroelektrischen Eigenschaften der Keramik, durch die Änderung der Raumstruktur, verschwinden.
Imprint bedeutet, dass die Zelle in einem Polarisierungszustand gefangen bleibt, der Schreibimpuls genügt nicht mehr, um eine Polarisationsumkehr zu bewirken.